晶圓是制造半導體器件的基本原材料。高純度半導體通過拉晶、切片等工藝制成晶片。晶圓通過一系列半導體制造工藝形成微小的電路結構，然后切割、封裝、測試成芯片，廣泛應用于各種電子器件。經過60多年的技術演進和產業發展，晶圓材料已經形成了以硅為主，新型半導體材料為輔的產業局面。

　　據報道，世界上80%的手機和電腦產自中國。中國95%的高性能芯片靠進口，所以中國每年花2200億美元進口芯片，是中國每年石油進口的兩倍。所有與光刻機和芯片生產相關的設備和材料也被封殺，比如晶圓、高純度金屬、蝕刻機等等。

　　今天就讓邊肖好好看看晶圓機的紫外光擦除原理！這樣可以對晶圓機的結構有更深入的了解，也可以幫助你了解晶圓機的光擦除技術是如何發展進步的！

　　紫外線擦除原理

　　寫數據時，需要在柵極加一個高壓VPP，如下圖所示，向浮柵注入電荷。因為注入的電荷不具備穿透氧化硅膜能量墻的能量，只能維持現狀，所以一定要給電荷一些能量！這時候就需要用紫外線了。

　　當浮柵接收到紫外輻射，浮柵中的電子接收到紫外光量子的能量時，電子變成熱電子，其能量穿透氧化硅膜的能量壁。如圖所示，熱電子穿透氧化硅膜，流向襯底和柵極，回到擦除狀態。擦除操作只能通過接收紫外線輻射來進行，而不能通過電子擦除來進行。也就是說，位數只能從“1”變成“0”，反方向，除了擦除芯片所有內容的方法，沒有其他方法。

　　我們知道光的能量與光的波長成反比。為了使電子變成熱電子，從而具有穿透氧化膜的能量，非常需要用波長更短的光即紫外線照射。由于擦除時間取決于光學光子的數量，所以即使波長很短，擦除時間也不能縮短。通常，當波長約為4000埃(400納米)時開始擦除。在3000A左右基本飽和，3000A以下，即使波長更短，也不會對擦除時間有任何影響。

　　(晶圓紫外燈光譜)

　　一般紫外擦除的標準是接受波長為253.7nm、強度≥16000μW/cm2的紫外輻射30分鐘至3小時，即可完成其擦除操作。

　　2014年以來，朗普已成功為深圳多家晶圓加工企業提供紫外光擦除設備，降低了晶圓加工成本，減少了光強衰減，質量穩定。隨著朗普對紫外光擦除器件的不斷研發，必將為晶圓行業和芯片制造行業帶來更多新的希望！