IGBT絕緣柵雙極晶體管是典型的雙極MOS復合功率器件。它結合了功率MOSFET的工藝技術，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一芯片上。該器件具有開關頻率高、輸入阻抗大、熱穩定性好、驅動電路簡單、飽和電壓低、電流大等特點，廣泛用作工業控制、電力電子系統等領域的功率器件(如伺服電機調速、變頻電源等)。為了使我們設計的系統更加安全可靠地工作，對IGBT的保護尤為重要。

　　目前，在IGBT的使用和設計過程中，基本采用的是粗放式的設計模式——要求的裕量大，系統龐大，但仍然無法抵御外界的干擾和自身系統造成的各種故障問題。瞬時閃電子公司利用其在半導體領域的生產和設計優勢，結合了瞬態抑制二極管的特性。在研究IGBT失效機理的基礎上，通過整合系統內外，突破設計瓶頸。本文將突破傳統的保護模式，探討IGBT系統電路保護設計的解決方案。

　　IGBT故障場合:雜散電感、電機的感應電動勢和來自系統內部的負載突變，如電力系統，都會引起過電壓和過電流；來自系統外部，如電網波動、電力線感應、浪涌等。歸根結底，IGBT的失效主要是由集電極和發射極的過壓/過流以及柵極的過壓/過流引起的。

　　IGBT的失效機理:如果IGBT由于上述原因短路，會產生很大的瞬態電流——關斷時電流變化率di/dt過大。漏電感和引線電感的存在會導致IGBT集電極過電壓，在器件內部產生閉鎖效應，使IGBT閉鎖失效。同時，較高的過電壓會使IGBT擊穿。由于上述原因，IGBT進入放大區，增加了電子管的開關損耗。

　　IGBT傳統的故障預防機制:最小化主電路的接線電感和電容，以降低關斷過電壓；集電極和發射極之間放置一個續流二極管，RC電路和RCD電路并聯。在電網中，根據電路容量合理選擇串聯阻抗，并聯齊納二極管，防止電網過電壓。

　　在

　　針對以上情況，浪涌部分可以采用防雷電路保護(圖2)。瞬雷電子研發的藍寶寶浪涌抑制器(BPSS)具有極大的過流能力和極低的雷擊殘壓。同時，對于電機部分，根據ISO7637的相關標準，該產品完全可以使用。但是使用其他設備無法同時實現以上兩種情況。具體問題如下:壓敏電阻在ISO7637長波(P5A)容易失效，不適合長期使用；陶瓷放電管不能直接用于有源電路，常因續流問題導致短路，抑制電壓過高。