IGBT技術的進步主要體現在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵優化垂直載流子濃度，利用“場終止”概念(也稱“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓N襯底厚度。

　　此外，單片二極管IGBT的概念也經常被討論。最早投入生產的反向導通IGBT，針對電子鎮流器的應用進行了優化，被稱為“LightMOS”。

　　挖溝機和遙控IGBT技術

　　在TrenchStop技術中，溝槽柵極結合了場終端的概念(見圖1中的IGBT)。因為發射極(陰極)附近的載流子濃度增加，所以溝槽柵可以降低傳導損耗。場終止的概念是NPT概念的進一步發展，包括在晶片背面注入額外的N摻雜層。

　　將場停止層與具有高電阻率的晶片襯底相結合可以將器件的厚度減小大約三分之一，同時保持相同的阻斷電壓。隨著晶片厚度的減小，導通損耗和關斷損耗可以進一步降低。場停止層的摻雜程度較低，因此不會影響背面注入的低摻雜P發射極。為了實現RC-IGBT，二極管的部分N摻雜背陰極(圖1)將與IGBT集電極下方的P發射極結合。

　　RC-IGBT的trench gate概念基于與傳統TrenchStop-IGBT相同的技術(見圖2)，但它針對軟開關應用(如電磁爐或微波爐應用)所需的低飽和壓降Vce(sat)進行了優化。成千上萬的溝槽柵是用金屬(鋁)連接的，這也是連接區域。柵極和發射極之間的區域和端子嵌入絕緣亞胺膜中。投入生產的RC2-IGBT的溝槽門更小，比標準的溝槽門-IGBT多150%的溝槽門單元。圖3是基于溝槽阻擋技術的第一代RC2-IGBT溝槽柵極的截面圖。

　　超薄晶圓技術

　　因為開啟電壓和關斷損耗很大程度上取決于晶片的厚度，所以需要制造更薄的IGBT。圖4顯示了英飛凌600/1，200V IGBT和EMCON二極管的晶片厚度趨勢。對于新的1200伏RC-IGBT，120微米厚的晶片將是標準工藝。這需要復雜的晶片處理，包括正面和背面的特殊處理設備。薄化晶片可以通過晶片研磨和濕法化學蝕刻來實現。

　　新RC2-IGBT的優勢

　　英飛凌新推出的RC2-IGBT系列產品基于成熟的TrenchStop技術，具有較低的飽和壓降。此外，IGBT還集成了一個低直流電壓的大功率二極管。

　　新RC2-IGBT的優勢是為軟開關應用優化的定制解決方案，如微波爐、電磁爐和感應加熱電飯煲。與以前的設備相比，RC2-IGBT可以提高性能，減少飽和壓降損失。這會導致整體損耗非常低，因此需要更小的散熱器。另一個優點是結溫提高到TvJ(max)=175℃，比普通IGBT芯片高25℃。該結溫已通過TO-247無鉛封裝的應用得到驗證。

　　在典型飽和壓降Vce(sat)=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型直流電壓Vf=1.25V@175℃(額定電流)的條件下，功率損耗(尤其是軟開關應用中的傳導損耗)可以大大降低。從IHW20N120R2下降時間的正切值可以看出高速——TF = 24 ns @ 25℃，RG = 30ω (44NS @ 175℃)。IHW30120R2在下降時間上表現優異:tf=33ns@25℃，RG = 30ω；175℃時tf=40ns

　　硬開關條件下，室溫下175℃的結溫和IHW20N120R2(IN=20A，Vces = 1,200V)和IHW30N120R2(IN=30A)的下降時間正切。