深圳恒亞通回收IGBT模塊和IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，是電力電子器件的“CPU”。利用IGBT進行電能轉換可以提高用電效率和質量，具有節能環保的特點，是解決能源短缺問題和減少碳排放的關鍵支撐技術。

　　回收IGBT模塊，IGBT主要應用領域:IGBT作為新型功率半導體器件的主流器件，已廣泛應用于工業、4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、國防等傳統工業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興工業領域。

　　從結構上看，回收IGBT模塊主要有三個發展方向:

　　1.IGBT垂直結構:非透明集電極NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電極NPT型、FS電場截止型；

　　2.IGBT柵結構:平面柵機制和溝槽結構；

　　3.硅片加工技術:外延生長技術、區熔硅單晶；

　　其發展趨勢是:①降低損耗②降低生產成本；

　　總功耗=通態損耗(與飽和電壓VCEsat相關)+開關損耗(Eoff Eon)。在同一代技術中，通態損耗和開關損耗是矛盾的，是互逆的。

　　回收IGBT模塊、IGBT模塊可以說在工藝流程中占據了非常重要的位置，其應用非常廣泛。幾乎所有的IGBT模塊都用于變換器系統，如交流電機、變頻器、開關電源等。，并且由于其自身的低驅動功率和低飽和電壓的優點而具有如此強的適用性。

　　回收IGBT模塊，IGBT模塊制造流程:

　　1.IGBT模塊封裝是將多個IGBT模塊集成封裝在一起，從而提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性，而IGBT模塊的市場需求趨勢是更小、更高效、更可靠，這些技術的實現需要IGBT模塊封裝技術的研發。目前流行的IGBT模塊封裝形式有四種:引線式、焊針式、平板式和圓盤式。常見的模塊封裝技術有很多，各個廠商的名稱也不一樣，比如英飛凌的62mm封裝，TP34，DP70等等。IGBT模塊有三個連接部分，即硅片上的鋁線焊點、硅片與陶瓷絕緣基板之間的焊接面， 陶瓷絕緣基板與銅底板的焊接面。這些觸點的損壞是由于接觸面兩種材料熱膨脹系數的沖突和材料的熱劣化產生的應力造成的。

　　2.IGBT組件的封裝工藝依次經過一次焊接、一次粘接、二次焊接、二次粘接，然后組裝、涂殼、涂密封膠、固化、硅膠填充、老化篩選。這種工藝流程并不死板，主要看具體模塊，有的可能不需要多次焊接或粘接，有的可能需要，有的可能有其他流程。以上只是一些主要工序，還有其他工序，比如等離子處理、超聲波掃描、測試、打標等等。

　　深圳市恒亞通電子有限公司推崇“踏實、努力、負責”的企業精神，以誠信、共贏、創造的經營理念營造良好的企業環境，以全新的管理模式、完善的技術、周到的服務、良好的品質作為生存之本。