IGBT是絕緣柵雙極晶體管的縮寫。IGBT是由MOSFET和雙極晶體管組成的器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。它結合了這兩種器件的優點，既有MOSFET器件驅動功率低、開關速度快的優點，又有雙極器件飽和電壓低、容量大的優點。其頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率范圍內正常工作。它在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，并在高頻和中功率應用中占據主導地位。

　　IGBT的等效電路如圖1所示。從圖1可以看出，如果在IGBT的柵極和發射極之間加一個正的驅動電壓，MOSFET就會導通，這樣PNP晶體管的集電極和基極就會處于低阻狀態，晶體管就會導通。如果IGBT的柵極和發射極之間的電壓為0V，MOS關斷，從而切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。像MOSFET一樣，IGBT也是一種壓控器件。在它的柵極和發射極之間加一個10 V以上的DC電壓，只有uA級的漏電流流過，基本不消耗功率。

　　IGBT模塊的電壓規格與所用設備的輸入電源電壓密切相關。它們的相互關系如下表所示。當IGBT模塊的集電極電流在使用中增加時，額定損耗也增加。同時開關損耗增加，加劇了原有的發熱。因此，選擇IGBT模塊時，額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗和發熱的增加，選用時要降級。

　　因為IGBT模塊是MOSFET結構，IGBT的柵極通過氧化膜與發射極電隔離。由于這種氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20 ~ 30 V，因此靜電引起的柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此，在使用中要注意以下幾點:使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子，需要觸摸模塊端子時，應先將人體或衣服上電阻較大的靜電放電后再觸摸；當用導電材料連接模塊驅動端子時，請不要在接線完成前連接模塊；盡量在底板接地良好的情況下操作。在應用中，雖然有時保證柵極驅動電壓不超過柵極的額定電壓， 柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的電容耦合也會產生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，通常使用雙絞線來傳輸驅動信號，以減少寄生電感。振蕩電壓也可以通過在柵極連接中串聯一個小電阻來抑制。