公司長期大量庫存，堅持“質量、管理、薄利多銷、服務第一”的經營理念，為客戶提供全方位服務。所售產品已廣泛應用于變頻器、開關電源、UPS電源、感應加熱、焊機等設備。經過長期不懈的努力，我公司樹立了良好的信譽，在同行中脫穎而出，贏得了廣大客戶的信任和支持。經過多年的發展，公司業務已遍布全球，成為價格優、貨源全、庫存量大的供應商之一。
作為功率半導體產品和配套器件、IGBT和配套驅動器的在線供應商。
憑借多年的經驗，不懈的開拓精神和良好的商業信譽，公司在電力方面取得了巨大的成就。
在電力電子行業樹立了良好的企業形象，并同時與多家電力電子企業合作并上市。
該公司保持了長期穩定和相互信任，它也是大量的電子制造商(富士，三)
凌影凌飛、西門康、埃塞克斯、尼爾、ABB、西瑪、三舍、宏偉等。)都是誠實的代理商和經銷商。公司通過多年的實踐經驗，積累了扎實的功率半導體應用知識，為電力牽引、風力發電、電焊機、電力機車等行業提供完善的解決方案，為客戶提供技術支持！IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度很快， 但是導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。IGBT(insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極晶體管，是一種由BJT (bipolar transistor)和MOS(insulated gate field effect transistor)組成的復合型全控壓驅動功率半導體器件，具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。GTR飽和電壓降低，載流密度高，但驅動電流大；MOSFET的驅動功率很小，開關速度快。但是導通壓降大，載流密度小。IGBT結合了上述兩種器件的優點，具有低驅動功率和低飽和電壓。非常適用于DC電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、 變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。IGBT模塊是一種模塊化半導體產品，由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續流二極管芯片(續流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源和其他設備。IGBT模塊具有節能、安裝維護方便、散熱穩定等特點。目前市場上銷售的大部分產品都是這類模塊化產品，IGBT一般指IGBT模塊；隨著節能環保的推廣，這類產品在市場上會越來越普遍；IGBT是能量轉換和傳輸的核心器件，俗稱電力電子器件的“CPU”。作為國家戰略性新興產業，IGBT廣泛應用于軌道交通、 智能電網、航空航天、電動汽車、新能源設備。
IGBT是垂直功率MOSFET的自然演變，適用于大電流、高電壓應用和快速終端設備。因為需要源極-漏極溝道來實現更高的擊穿電壓BVDSS，但是該溝道具有高電阻率，這導致功率MOSFET具有高RDS(on)值。IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然第一代功率MOSFET器件的RDS(on)特性已經有了很大的改善，但是功率傳導損耗仍然遠遠高于IGBT技術在高水平下的功率傳導損耗。與標準雙極性器件相比，更低的壓降、轉換為低VCE(sat)的能力以及IGBT的結構可以支持更高的電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。
IGBT硅片的結構與功率MOSFET非常相似，主要區別是IGBT增加了一個P+襯底和一個N+緩沖層(這部分不是NPT-非穿通IGBT技術增加的)。其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。襯底的應用在管的P+和N+區域之間產生了J1結。當柵極正偏壓使柵極下方的P基區反相時，形成N溝道，同時出現電子流，完全以功率MOSFET的方式產生電流。如果這種電子流產生的電壓在0.7V的范圍內，那么J1將處于正向偏置，一些空穴將被注入N區，陽極和陰極之間的電阻率將被調節，這降低了功率傳導的總損耗，并開始第二次電荷流。因此，在半導體層面暫時出現了兩種不同的電流拓撲:電子電流 (MOSFET電流)；空穴電流(雙極)。當負偏置電壓施加到柵極或柵極電壓低于閾值時關斷，溝道被禁止，并且沒有空穴注入n區。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流將逐漸降低，因為在換向開始后，N層中仍有少數載流子(少數載流子)。剩余電流(尾流)的減少完全取決于關斷時的電荷密度，并且該密度與幾個因素有關，例如摻雜劑的量和拓撲、層厚度和溫度。少數載流子的衰減使得集電極電流具有特征性的尾波波形，造成以下問題:功耗增加；交叉傳導的問題更加明顯， 尤其是在使用續流二極管的設備中。由于尾流與少數載流子復合有關，所以尾流的電流值應該與芯片的溫度密切相關，而空穴遷移率與IC和VCE密切相關。因此，根據達到的溫度，減少電流作用在終端設備設計上的這種不良影響是可行的。