在實際的SCR電路中，RC串聯網絡往往在其兩端并聯，通常稱為RC阻容吸收電路。

　　可控硅有一個重要的特性參數——關態電壓臨界上升率dlv/dlt。它顯示了在額定結溫和柵極關斷狀態條件下，晶閘管從關斷狀態到導通狀態的電壓上升速率。如果電壓上升率過大，超過晶閘管的電壓上升率的值，則無門極信號導通。即使施加到SCR的直流電壓低于其陽極峰值電壓，這也可能發生。因為SCR可以看成是由三個PN結組成的。

　　當SCR處于阻斷狀態時，J2結相當于電容器C0，因為各層非常接近。當SCR的陽極電壓改變時，充電電流將流過電容器C0并通過JBOY3樂隊結。該電流充當柵極觸發電流。如果在SCR關斷時陽極電壓上升過快，C0的充電電流就越大，這可能導致SCR在沒有觸發信號的情況下被誤導，也就是通常所說的硬導通，這是不允許的。應該對加到SCR上的陽極電壓的上升速率有一些限制。

　　為了限制電路過高的電壓上升率，保證晶閘管的安全運行，往往在晶閘管兩端并聯RC阻容吸收網絡，利用電容器兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。由于電路中始終存在電感(變壓器漏電感或負載電感)，與電容C串聯的電阻R可以起到阻尼作用，可以防止R、L、C電路過渡過程中由于振蕩而出現在電容兩端的過電壓損壞晶閘管。同時也避免了電容通過晶閘管釋放太大電流，造成過流，損壞晶閘管。

　　由于可控硅過流過壓能力差，沒有可靠的保護措施就不能正常工作。RC阻容吸收網絡是常用的保護方法之一。

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