IGBT非常適合DC電壓600V及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖1示出了N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構。N+區稱為源區，附著其上的電極稱為源極。N+區域被稱為漏極區域。器件的控制區是柵極區，附著其上的電極稱為柵極。溝道形成在柵極區域的邊界附近。漏極和源極之間的P型區(包括P+和P-1區)(該區形成溝道)稱為子溝道區，而漏極區另一側的P+區稱為漏注入區，這是IGBT特有的功能區。它與漏極區和子溝道區一起形成PNP雙極晶體管，用作發射極， 將空穴注入漏極并進行傳導調制以降低器件的導通狀態。連接到漏極注入區的電極稱為漏極。IGBT的開關作用是通過加正向柵壓形成溝道，為PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。相反，增加反向柵極電壓以消除溝道，切斷基極電流并關閉IGBT。IGBT的驅動方式與MOSFET基本相同，只需要控制輸入電極N溝道MOSFET，因此具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N層的空穴(少數載流子)中，對N層進行電導調制。降低N層的電阻使得IGBT在高電壓下具有低的通態電壓。

　　IGBT是絕緣柵雙極晶體管的縮寫。IGBT是由MOSFET和雙極晶體管組成的器件。它的輸入是MOSFET，輸出是PNP晶體管。它結合了這兩種器件的優點，既有MOSFET器件驅動功率低、開關速度快的優點，又有雙極器件飽和電壓低、容量大的優點。其頻率特性介于MOSFET和功率晶體管之間，可以在幾十kHz的頻率范圍內正常工作。它在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，并在高頻和中功率應用中占據主導地位。

　　IGBT的等效電路如圖1所示。從圖1可以看出，如果在IGBT的柵極和發射極之間加一個正的驅動電壓，MOSFET就會導通，這樣PNP晶體管的集電極和基極就會處于低阻狀態，晶體管就會導通。如果IGBT的柵極和發射極之間的電壓為0V，MOS關斷，從而切斷PNP晶體管基極電流的供給，使晶體管截止。像MOSFET一樣，IGBT也是一種壓控器件。在它的柵極和發射極之間加一個10 V以上的DC電壓，只有uA級的漏電流流過，基本不消耗功率。