因為IGBT模塊是MOSFET結構，IGBT的柵極通過氧化膜與發射極電隔離。由于這種氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20 ~ 30 V，因此靜電引起的柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此，在使用中要注意以下幾點:

　　使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子。需要觸摸模塊端子時，先將人體或衣服上電阻較大的靜電放電后再觸摸。當用導電材料連接模塊驅動端子時，請不要在接線完成前連接模塊；盡量在底板接地良好的情況下操作。在應用中，雖然有時保證柵極驅動電壓不超過柵極的額定電壓，但是柵極連接的寄生電感和柵極與集電極之間的容性耦合也會產生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，通常使用雙絞線來傳輸驅動信號，以減少寄生電感。振蕩電壓也可以通過在柵極連接中串聯一個小電阻來抑制。

　　另外，當柵極和發射極之間開路時，如果在集電極和發射極之間施加電壓，隨著集電極電位的變化，柵極電位會上升，集電極會有電流。此時，如果集電極和發射極之間有高電壓，IGBT可能會被加熱甚至損壞。

　　使用IGBT時，當電網電路異?；驌p壞(電網處于開路狀態)時，如果在主電路上施加電壓，IGBT就會損壞。為防止此類故障，應在柵極和發射極之間串聯一個約10KΩ的電阻。

　　安裝或更換IGBT模塊時，應特別注意IGBT模塊與模塊片之間的接觸面狀態和緊固程度。為了降低接觸熱阻，在模塊和IGBT模塊之間涂上導熱硅脂。通常，模塊風扇安裝在模塊的底部。當模塊風扇損壞時，IGBT模塊會發熱并出現故障。因此，應定期檢查模塊風扇。通常，溫度傳感器安裝在模塊芯片上的IGBT模塊附近，當溫度過高時，它會報警或停止IGBT模塊。