第三代半導體材料的應用正在蓬勃發展。

　　以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為突破口，第三代半導體材料正在興起。根據相關報道，在5G設備、電動汽車和工業設施(包括太陽能設施)中使用SiC和GaN等復合半導體的需求確實在增加。從2021年開始，復合功率半導體市場將大幅增長，到2029年，復合功率半導體市場有望增長5倍以上。

　　包括SiC(4H-SiC)和GaN (GaN)在內的下一代化合物功率半導體市場正在開始增長。市場研究公司Yole預測，到2024年，SiC功率半導體市場的年復合增長率將達到29%，達到20億美元。相關受益者應包括美國的Cree、意法半導體和Veeco以及韓國的RFHIC。

　　晶圓生產技術是生產GaN和SiC半導體的關鍵。我們注意到，化合物半導體已經應用于5G設備、工業設施、電動汽車、太陽能等其他行業。最近，氮化鎵晶體管被廣泛用作智能手機和筆記本電腦的充電適配器。另外，現代汽車集團最近公布的E-GMP采用了Sic半導體。

　　在復合半導體的生產中，晶片生產技術很重要。GaN半導體是通過用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備在襯底上生長GaN外延層來制造的。SiC外延片是沉積在多晶硅片上的SiC單晶層，厚度為幾微米。碳化硅晶圓由很多公司生產，包括凱瑞、英飛凌和羅曼。在韓國，收購了杜邦碳化硅晶片部門的SK Siltron正在投資這一行業。碳化硅晶片現在供不應求。

　　Cree計劃到2024年將SiC產能提高30倍，并向GaN業務投資10億美元。2019年，ST微的SiC芯片組相關銷售額達到2億美元，預計到2025年將達到10億美元。

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