特點:

　　常用的有阻容移相橋式觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體管觸發電路、用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路等等。

　　SCR的主要參數是:

　　1.額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極和陰極之間能連續通過的50 Hz正弦半波電流的平均值。

　　2.正向阻斷峰值電壓VPF當控制電極開路且未添加觸發信號，且陽極直流電壓未超過導通電壓時，施加到晶閘管兩端的正向峰值電壓可以重復?？煽毓璩惺艿闹绷麟妷悍逯挡荒艹^手冊中給出的這個參數值。

　　3.反向阻斷峰值電壓VPR當晶閘管處于具有反向電壓的反向關斷狀態時，施加在晶閘管兩端的反向峰值電壓可以重復。使用時，不能超過手冊中給出的參數值。

　　4.觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，當在陽極和陰極之間施加一定的電壓時，晶閘管由關斷狀態轉為導通狀態所需的較小的控制極電流和電壓。

　　5.在規定的溫度下，保持電流IH關閉控制電極，以維持SCR導通所需的小陽極正向電流。許多新型可控硅器件相繼問世，如適用于高頻應用的快速可控硅器件、可以用正或負觸發信號雙向導通的雙向可控硅器件、可以用正觸發信號導通的可控硅器件、可以用負觸發信號關斷的可控硅器件等。

　　分類:

　　可控硅的分類方法很多。

　　(1)按關斷、開通和控制方式分類:晶閘管按其關斷、開通和控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、反向晶閘管、門極關斷晶閘管(g to)、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。

　　(2)按引腳和極性分類:晶閘管按其引腳和極性可分為二極管晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。

　　(3)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為三種:金屬封裝可控硅、塑料封裝可控硅、陶瓷封裝可控硅。其中，金屬封裝可控硅分為螺栓形、平板形、圓殼形等；塑封可控硅分為帶翅片和不帶翅片兩種。

半導體閘流管

　　(4)按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為三種:大功率可控硅、中功率可控硅、小功率可控硅。一般大功率晶閘管多采用金屬外殼封裝，中小功率晶閘管多采用塑料或陶瓷封裝。

　　(5)按關斷速度分類:可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。

　　(6)過零觸發——一般是功率調節，即當正弦交流電壓的相位過零時，必須在零點觸發才能導通晶閘管。

　　(7)非過零觸發——無論交流電壓是哪一相，都能觸發可控硅導通。常見的觸發是移相觸發，即通過改變正弦交流電的導通角(角相位)來改變輸出百分比。

　　用萬用表測量的方法如下:

　　1.T2極的確定:用萬用表在R*1或R*100檔測量各引腳的反向電阻。如果兩個引腳的反向電阻非常小(約100歐姆)，則是t 1和G極，剩下的一個是T2極。

　　2.T1和G極的區分:假設這兩個極一個是T1，一個是G，將萬用表設在R*1，用兩個探針(不分正負極)分別接觸確定的T2極和假想的T1極，同時用探針接觸T1的方式接觸假想的G極，在保證假想的T1極不會接通的情況下斷開假想的G極，萬用表仍顯示on狀態。

　　3.交換探頭和筆，用同樣的方法測量。如果萬用表仍然顯示相同的結果，那么假設的T1和G極是正確的。如果在保證假設的T1極沒有斷開的情況下，假設的G極斷開，萬用表會顯示斷開狀態，說明假設的T1和G極是相反的，從新的假設開始測量，結果是正確的。

　　如果不能測出上述結果，則雙向可控硅壞了。這種方法雖然不能測出具體參數，但判斷是否可用是可行的。

　　雙向晶閘管的使用條件

　　(1)在外加電壓下，允許超過正向翻轉電壓，否則控制電極不起作用。

　　(2)可控硅的通態平均電流，從安全角度考慮，一般取1.5~2倍電流。

　　(3)為了保證控制電極的可靠觸發，加在控制電極上的觸發電流一般大于其量。此外，必須采取保護措施。過電流的保護措施一般是在電路中串聯一個快速熔斷器，其額定電流約為可控硅電流平均值的1.5倍。接入位置可在交流側或DC側，在交流側時額定電流較大。

　　一般多采用前者。過壓保護通常出現在有電感的電路中，或者交流側有干擾的浪涌電壓中，或者交流側瞬態過程產生的過壓中。由于過電壓峰值高、作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路來抑制。