近日，中國電力分公司第四十六研究所成功制備出國內首塊6英寸氧化鎵單晶，達到國際最高水平。

據“中國電力分公司”消息，中國電力分公司第四十六研究所氧化鎵團隊從大尺寸氧化鎵熱場設計出發，成功構建了適合6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結構，突破了6英寸氧化鎵單晶的生長技術，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底的研制，將有力支撐我國氧化鎵材料的實用化進程和相關產業的發展。

1.我國氧化鎵的研發進展屢見報端。

目前，中國從事氧化鎵相關業務的企業有北京鎵集團科技、杭州付嘉鎵業、北京明伽半導體、深圳進化半導體等。此外，除了46中電，上海光機所、上海微系統研究所、復旦大學、南京大學等各大科研院校也在從事相關研究。最近我國氧化鎵的研發進展也是捷報頻傳。

2022年12月，北京明伽半導體完成4英寸氧化鎵晶片襯底技術突破，成為國內首家掌握第四代半導體氧化鎵材料4英寸(001)相單晶襯底生長技術的工業公司。

上市公司新湖寶投資的杭州付嘉鎵業已初步建立氧化鎵單晶材料設計、熱場模擬、單晶生長、晶圓加工等全鏈路R&D能力。，并推出了2英寸及以下規格的氧化鎵UID(無意摻雜)、導電和絕緣產品。

浙江大學杭州科技中心也于2022年5月成功制備了2英寸(50.8mm)氧化鎵晶片，并且是世界上首次使用該技術生長出具有完全自主知識產權的2英寸氧化鎵晶片。

中科大國家模型微電子學院教授龍仕兵于2023年初首次研制出氧化鎵垂直溝槽柵場效應晶體管。不久前，龍仕兵課題組的相關研究論文成功被世界頂級技術論壇IEEEIDM大會接受，這也是中科大首次以第一作者身份發表IEEEIDM方面的論文。

2、第四代半導體“咆哮”

近年來，以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導體材料市場需求爆發式增長，獲得各大廠商青睞。與此同時，第四代半導體材料以其耐高壓、低損耗、高效率、小尺寸等特點成功進入人們的視野。

為了進一步推動氧化鎵產業的發展，科技部高新司甚至將其列入2017年重點研發計劃。此外，安徽、北京等省市也將氧化鎵列為重點研發對象。

雖然氧化鎵的發展仍處于起步階段，但其市場前景仍可期。據統計，到2030年，氧化鎵功率半導體的市場規模將達到15億美元。

中國科學院院士郝躍認為，氧化鎵是未來最有可能發光的材料之一。未來10年左右，氧化鎵器件可能會成為有競爭力的電力電子器件，與碳化硅器件直接競爭。業內普遍認為，氧化鎵有望在未來取代碳化硅和氮化鎵，成為新一代半導體材料的代表。

劉晶全球半導體觀察