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PECVD化學氣相沉積系統 單晶生長爐 石墨烯薄膜制備爐

 
 
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品牌 MICRO-X
型號 MXG1200-PECVD
過期 長期有效
更新 2023-08-25 12:47
 

科晶真空科技(蘇州)有限公司

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聯系電話:15839810410 所在區域: 經營范圍:工程機械
企業信息未認證
詳細說明

品牌:MICRO-X

型號:MXG1200-PECVD

類型:化學氣相沉積裝置

用途:化學氣相沉積

適用領域:科研

外形尺寸:1250*860*1500mm

重量:330kg


MXGH1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統

產品簡介:此款設備配有Plasma實現等離子增強,滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好,對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

主要功能和特點:

1、利用輝光放電產生等離子體電子激活氣相;

2、提高了氣相反應的沉積速率、成膜質量;

3、可通過調整射頻電源頻率來控制沉積速率;

4、能廣泛用于:石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長。

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滑軌管式爐技術參數

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石英管尺寸

L1400mm ?Φ(60、80、100)

加熱元件

摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲

測溫元件

K型熱電偶

加熱區長度

410mm ?

恒溫區長度

200mm

工作溫度

≤1100℃

控溫模式

模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能

控溫精度

±1℃

升溫速率

≤20℃/min

電功率

AC220V/50HZ/3KW

質量供氣系統技術參數

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外形尺寸

600x600x600mm

標準量程

50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar、N2);

壓力表測量范圍

-0.1Mpa~0.15Mpa

極限壓力

3MPa

針閥

316不銹鋼

截止閥

Φ6mm 316不銹鋼針閥

電功率

AC220V/50HZ/20W

響應時間

氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

準確度

±1.5%

線性

±0.5~1.5%

重復精度

±0.2%

接口

Φ6,1/4''

真空系統技術參數

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外型尺寸

600×600×600mm

工作電電壓

220V±10% ?50~60HZ

功率

400W

抽氣速率

4L\s

極限真空

4X10-2Pa

實驗真空度

1.0X10-1Pa

容油量

1.1L

進氣口口徑

KF25

排氣口口徑

KF25

轉速

1450rpm

射頻電源

?

信號頻率

13.56 MHz±0.005%

功率輸出范圍

3W-300W ??5W-500W可選

最大反射功率

200W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩定度

±0.1%

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V)?頻率50/60HZ

整機效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強制風冷

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