點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制，臺州TOS二極管命名、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此不能使用于大電流和整流。將細鋁絲的一端接在陽極引線上，臺州TOS二極管命名，另一端壓在摻雜過的N型半導體上。加上電壓后，細鋁絲在接觸點處融化并滲入融化部分的中。這樣，接觸點實際上是P型半導體，并附著在N型半導體上形成PN結。發光二極管與霓虹燈相比除了壽命長，還有節能，臺州TOS二極管命名、驅動和控制簡易、無需維護等特點。臺州TOS二極管命名
二極管在20世紀20年代由熱離子二極管所取代。20世紀50年代，高純度的半導體材料出現。因為新出現的鍺二極管價格便宜，晶體收音機重新開始被大規模使用。貝爾實驗室還開發了鍺二極管微波接收器。20世紀40年代中后期，美國電話電報公司在美國四處新建的微波塔上開始應用這種微波接收器，主要用于傳輸電話和網絡電視信號。不過貝爾實驗室并未研發出效果令人滿意的熱離子二極管微波接收器。之后隨著量子力學和半導體材料的發展和應用，逐漸發展并形成了目前人們使用的半導體二極管結構和配套的應用產業。佛山普通二極管*二極管當給陽極和陰極加上反向電壓時，二極管截止。
二極管在汞弧閥（具有冷陰極的汞蒸氣離子閥）中，一種難熔的導電陽極與一池作為陰極的液態汞之間會形成電弧，電壓單位可達數百千瓦，這對高壓直流輸電的發展起到了促進作用。一些小型的熱離子整流器有時候也用汞蒸氣填充，以減少他們的正向壓降并增加這種熱離子強真空器件的電流額定值。整個真空管時代，這種二極管應用于模擬信號，并在消費電子產品（如收音機、電視機、音響系統）的直流供電設備中當做整流器。20世紀40年代，在那些供電設備內的真空管開始被硒整流器所替代，然后在1960年代又被半導體二極管替代。如今，真空管仍然在一些高功率應用場合中使用，由于能夠承受瞬變和較好的魯棒性，使得他們比半導體器件的優勢能夠顯現出來。尤其是音頻處理上，真空管基本不存在瞬態互調失真、開關失真及交越失真等影響音質的問題。因此近年來，在音響發燒友和錄音棚所用的音頻設備中，應用真空二極管的老式音頻設備有回潮的跡象，如家用音響系統甚至是吉他效果器。
二極管種類：PIN二極管（P-intrinsic-N Diode）PN之間一層高電阻的半導體層，使少數載子的積蓄效果增加，逆回復時間也較長。利用順向偏壓時高頻率訊號較容易通過的性質，用于天線的頻帶切換以及高頻率開關。耿效應二極管應用于低功率微波振蕩器。交流二極管（DIAC）、突波保護二極管、雙向觸發二極管當施加超過規定電壓（Break Over電壓，VBO）的電壓會開始導通使得端子之間的電壓降低的雙方向元件。用于電路的突波保護上。另，雖被稱為二極管，實際的構造、動作原理都應歸類為閘流管/可控硅整流器的復雜分類中。半導體二極管的非線性電流-電壓特性。
二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。發光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。廣州原裝二極管
二極管PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。臺州TOS二極管命名
正向偏壓（Forward Bias）二極管的陽極側施加正電壓，陰極側施加負電壓，這樣就稱為正向偏置，所加電壓為順向偏壓。如此N型半導體被注入電子，P型半導體被注入電洞。這樣一來，讓多數載流子過剩，空乏層縮小、消滅，正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來看，電子從陰極流向陽極（電流則是由陽極流向陰極）。在這個區域，電流隨著偏壓的增加也急遽地增加。伴隨著電子與電洞的再結合，兩者所帶有的能量轉變為熱（和光）的形式被放出。能讓正向電流通過的必要電壓被稱為開啟電壓，特定正向電流下二極管兩端的電壓稱為正向壓降。臺州TOS二極管命名
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