二極管種類：恒流二極管（或稱定電流二極管，CRD、Current Regulative Diode）被施加順方向電壓的場合，無論電壓多少，可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然被稱為二極管，但是構造、動作原理都與接合型電場效應電晶體相似。變容二極管施加逆向偏壓，二極管PN接合的空乏層厚度會因電壓不同而變化，產生靜電容量（接合容量）的變化，可當作由電壓控制的可變電容器使用。沒有機械零件所以可靠度高，廣東電子二極管命名，普遍應用于壓控振蕩器或可變電壓濾波器，廣東電子二極管命名，也是電視接收器和行動電話不可缺少的零件。發光二極管（light-emitting diode，LED）施加順向偏壓，可以發光的二極管。由發光種類與特性又有紅外線二極管，廣東電子二極管命名、各種顏色的可見光二極管、紫外線二極管等。二極管P型半導體是在本征半導體摻入少量三價元素雜質，如硼等。廣東電子二極管命名
二極管的正向特性:外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。 當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 當二極管兩端的正向電壓超過一定數值 ，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。 叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V，鍺二極管的正向導通壓降約為0.2~0.3V。浙江晶體二極管分類發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件。
二極管電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點：（1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結構一樣，這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。（2）集成電路A1的①腳通過電阻R1與三極管VT1基極相連，顯然R1是信號傳輸電阻，將①腳上輸出信號通過R1加到VT1基極，由于在集成電路A1的①腳與三極管VT1基極之間沒有隔直電容，根據這一電路結構可以判斷：集成電路A1的①腳是輸出信號引腳，而且輸出直流和交流的復合信號。確定集成電路A1的①腳是信號輸出引腳的目的是為了判斷二極管VD1在電路中的具體作用。
小功率晶體二極管判別正、負電極（1）觀察外殼上的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。（2）觀察外殼上的色點。在點接觸二極管的外殼上，通常標有極性色點(白色或紅色)。一般標有色點的一端即為正極。還有的二極管上標有色環，帶色環的一端則為負極。 （3）以阻值較小的一次測量為準，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負極。觀察二極管外殼，帶有銀色帶一端為負極。二極管使用中不要超過二極管整流電流值。
平面型二極管：在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上光選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。二極管PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。上海阻尼二極管型號
當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。廣東電子二極管命名
二極管種類：激光二極管當LED產生的光是頻寬極窄的同調光（Coherent Light）時，則稱為激光二極管。光電二極管光線射入PN接面，P區電洞、N區電子大量發生，產生電壓（光電效應）。借由測量此電壓或電流，可作為光感應器使用。有PN、PIN、蕭特基、APD等類型。太陽電池也是利用此種效應。隧道二極管（Tunnel Diode）、江崎二極管（Esaki Diode）、透納二極管1957年發明。是利用量子穿隧效應的作用，會出現在一定偏置范圍內順向電壓增加時流通的電流量反而減少的“負電阻”的現象。這是能耐受核輻射的半導體二極管。廣東電子二極管命名
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