同時，IGBT等功率半導體是逆變器實現直流轉交流的關鍵所在，在逆變器成本中約占據13%的價值。IGBT 和MOSFET 等電力電子開關器件的高頻率開合特性是逆變器實現直流電轉交流電這一基礎功能的基礎。

　　逆變器生產所需原材料主要包括電子元器件、機構件以及輔助材料，其中電子元器件包括功率半導體、集成電路、電感磁性元器件、PCB 線路板、電容、開關器件、連接器等，機構件主要為壓鑄件、鈑金件等，輔助材料主要包括塑膠件等絕緣材料。根據固德威招股說明書披露，機構件、電感、IGBT 功率器件為3 大核心耗材，占據近60%的成本，其中IGBT 功率器件占據約13%，位列第三。

　　光伏逆變器IGBT需求：根據測算，我們預估2026 年全球光伏IGBT 市場需求將從2020 年的28.3 億元提升至63.5 億元。若假設國內廠商能拿到65%的市場份額，則國內光伏IGBT 需求將從2020 年的18.4 億元提升至2026 年的41.3 億元，CAGR達到14.4%。

　　四、功率半導體競爭格局

　　未來國內的功率半導體無論是二極管/晶閘管，還是MOSFET，乃至難度更高的IGBT，市場份額均有望顯著提升，實現功率半導體的國產替代。

　　GBT在MOSFET基礎上升級，市場空間增速快。IGBT 作為半導體功率器件中的全控器件，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，有MOSFET 的高輸入阻抗和GTR 的低導通壓降兩方面的優點。IGBT 的開關特性可以實現直流電和交流電之間的轉化或者改變電流的頻率，有逆變和變頻的作用，其應用領域極其廣泛。碳化硅具有較高的能量轉換效率，且不會隨著頻率的提高而降低，碳化硅器件的工作頻率可以達到硅基器件的10倍，相同規格的碳化硅基MOSFET總能量損耗僅為硅基IGBT的30%。碳化硅材料將在高溫、高頻、高頻領域逐步替代硅，在5G通信、航空航天、新能源汽車、智能電網領域發揮重要作用。

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